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現在、技術本部の実戦技術開発センターでAiIoT技術開発を担当している脇坂健一郎が、1993年に熊本大学より博士(工学)を授与された博士論文です。当時、将来の電力用電源としてアモルファスシリコン(a-Si)太陽電池に着目した脇坂らは、光学的特性を主体とした理論解析、それに基づく光電変換用a-Si材料(i層)、接合形成用a-Si材料(p層)の改善、ハイパワーレーザによるモジュール化技術などにより、画期的な高効率化、高品質化を実現し、a-Si太陽電池の当時世界最高となる変換効率を達成するなど、a-Si太陽電池の技術発展をリードする先駆的な研究となりました。これらの成果は、現在の高効率Si太陽電池の実用化と普及に大きく貢献するものです。
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