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超知財・人財宝®・技財・資財 戦略情報誌 Newテクノマート「SO(創)」

超知財・人財宝戦略情報誌 Newテクノマート「SO(創)」

不揮発性半導体記憶装置および同装置の製造方法

メモリ効果の発現方法及び低抵抗と高抵抗の比を制御する方法を提供、素子間ばらつきを低減!

不揮発性半導体記憶装置および同装置の製造方法
不揮発性半導体記憶装置および同装置の製造方法

「抵抗比は電極材料の変更によって調整され、制御が困難であった。」
「メモリ効果の発現或いは促進方法が確立されていない。」
「ウエハの中心と周辺ではメモリ特性が異なる。」
といった問題に対する解決方法を提供する。

使用目的に応じた材料構成と処理方法が提供され、低抵抗と高抵抗の比が大きくなることで読み出しの信頼度が向上し、多値応用にも有利となる。ウエハ面内の素子間ばらつきも低減し、大容量化が実現される。

文献番号特許5690635号
資料請求番号13080004
用途電圧の印加によって抵抗値が制御され、抵抗の高低で情報を記憶する抵抗変化メモリの実用化において問題になっていた抵抗比(= 高抵抗/低抵抗)の制御(メモリ効果の発現を含む)とウエハ全面にわたるメモリ特性の均一化が可能になる技術である。
技術内容電極A/酸化物/電極B構造を有する抵抗変化型メモリ(ReRAM)を形成する際の電極A、B及び酸化物層に用いる材料構成と、構造作製後にメモリ効果を発現又は促進するための処理方法を提供する。
権利者国立大学法人 鳥取大学
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(敬称略)

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