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知財戦略情報誌「NewテクノマートSO(創)」

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赤色発光半導体素子および赤色発光半導体素子の製造方法

安心、安定、きれいな赤色LED。
青色/緑色LEDと同一結晶基板上に集積できます!

赤色発光半導体素子および赤色発光半導体素子の製造方法

【効果】
◆「安心」:色覚異常の方が見える「赤」。また、従来の赤色LEDのようにAsを含んでいないため、REACH(Registration, Evaluation,Authorization and Restriction of Chemicals)規制対象外。
◆「安定」:環境温度の変化に対して波長超安定(バンド間遷移に比べて、温度依存性1/100)。作製時の波長再現性(歩留まり)100%。
◆「きれい」:室温での半値幅は1nm以下と高い色純度。

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◎動画・関連HPリンク
・動画リンク
http://www.mat.eng.osaka-u.ac.jp/mse6/?video
・関連HP
http://www.mat.eng.osaka-u.ac.jp/mse6/

文献番号特許第5388041号、US8409897、KR10-1383489
資料請求番号18040004
用途超スマート社会の構築に向けて、携帯端末に搭載可能な、超小型・高精細マイクロLEDディスプレイ、ヘッドマウントディスプレイ、超小型LEDプロジェクターなどのマイクロディスプレイに応用可能です。また、超狭帯域という特徴を活かし、育毛や美肌など、フォトセラピー分野への応用も期待されています。
技術内容赤色蛍光体に広く用いられる3価のEuイオンを添加したGaNを活性層とする発光ダイオード(LED)を作製し、電気を流すことにより高輝度な赤色発光を得ることに世界で初めて成功しています。本発明の赤色LEDは従来のAlGaInP/GaAs系赤色LEDと異なり、結晶成長技術により青色/緑色LEDと併せて、同一基板上に集積化することが可能です。
従来の赤色LEDや開発途上のInGaN/GaN系赤色LEDはバンド間遷移を用いているため、発光波長は温度の上昇とともに長波長化します。一方、その半値幅は従来の赤色LEDでは20nm、InGaN/GaN系赤色LEDでは50-70nmとブロードです。本赤色LEDは環境温度に対する波長安定性が約100倍高く、また、その発光半値幅は1nm以下と超狭帯域という特徴を有しています。
権利者国立大学法人大阪大学
権利者関連リンク反射構造体、機器、及び反射構造体の製造方法
電磁波のビーム観測方法及び観測システム
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(敬称略)

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