社会

知財戦略情報誌「NewテクノマートSO(創)」

GaNなどの窒化物半導体の高品質・大型基板の新たな作製法

貫通転位密度を現状の自立基板のよりの低減化と、現在の枚葉成長による自立基板作製法よりも低コスト化から、大出力・高耐圧インバータ用縦型トランジスタを低コストで実現できる。さらに、横型トランジスタである高電子移動度トランジスタ（HEMT）においても、低転位であることから高速化できる。

文献番号	特許第6711975号
資料請求番号	19010002
用途	・青色などの発光ダイオード（LED）や半導体レーザ・窒化物半導体のバンドギャップ・エネルギは太陽光のスペクトル（波長）を　ほぼ網羅できることから、高効率太陽電池・ワイドギャップであることを活かした高周波・高出力トランジスタ
技術内容	窒化物半導体の自立基板において、成長基板上に六方晶系の窒化ホウ素（h-BN）からなる分離層の形成、c-面AIN層の成長、AIN層表面の酸化による酸化アルミニウム変質層の形成、その表面を窒化して窒素極性AIN成長準備層の形成、および、窒素極性の窒化物半導体の成長からなる工程を用いてバルク単結晶ブールを形成することを特徴とする。ブールから、切断による切り出しと鏡面研磨の工程を経て、窒化物半導体自立基板を作製する。現在市販の自立基板を遙かに超える高品質と低価格を実現できる。
権利者	国立大学法人東北大学株式会社福田結晶技術研究所
権利者関連リンク	対話支援装置及び対話装置

(敬称略)

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