知財・人財宝_®・技財・資財 戦略情報誌 Newテクノマート「SO(創)」

・単結晶基板のGaNに対する格子不整合率が従来から用いられているサファイア基板より一桁小さいことから、
　貫通転位密度を2桁減少できる。
・基板の劈開性を利用して、素子作製後に基板を容易に薄層化でき、素子をヒートシンク上に搭載したときの
　熱抵抗を大幅に改善できる。

文献番号	特開2017-168783
資料請求番号	19010001
用途	・青色などの発光ダイオード（LED）や半導体レーザ ・窒化物半導体のバンドギャップ・エネルギは太陽光のスペクトル（波長）を 　ほぼ網羅できることから、高効率太陽電池 ・ワイドギャップであることを活かした高周波・高出力トランジスタ
技術内容	単結晶基板上に窒化物半導体層を積層して窒化物半導体素子を形成する際、基板からのMgの素子への拡散防止のために、基板と素子との間にMg拡散の抑制層を形成する。さらに、基板の側面および底面をMg拡散の抑制被膜で覆う。本製造法において、（0001）面を有する単結晶基板上に窒化物半導体層を積層し、（0001）面に垂直な方向に導波するレーザ構造が作製された基板を（0001）面での劈開面をレーザ共振器の端面を形成するレーザ作製法。
権利者	国立大学法人東北大学 株式会社福田結晶技術研究所
権利者関連リンク	窒化物半導体自立基板作製方法 対話支援装置及び対話装置