半導体装置およびその製造方法
GaNとほぼ格子整合する基板上への窒化物半導体素子の製造法

・単結晶基板のGaNに対する格子不整合率が従来から用いられているサファイア基板より一桁小さいことから、
貫通転位密度を2桁減少できる。
・基板の劈開性を利用して、素子作製後に基板を容易に薄層化でき、素子をヒートシンク上に搭載したときの
熱抵抗を大幅に改善できる。
文献番号 | 特開2017-168783 |
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資料請求番号 | 19010001 |
用途 | ・青色などの発光ダイオード(LED)や半導体レーザ ・窒化物半導体のバンドギャップ・エネルギは太陽光のスペクトル(波長)を ほぼ網羅できることから、高効率太陽電池 ・ワイドギャップであることを活かした高周波・高出力トランジスタ |
技術内容 | ![]() ![]() |
権利者 | 国立大学法人東北大学 株式会社福田結晶技術研究所 |
権利者関連リンク | 窒化物半導体自立基板作製方法 対話支援装置及び対話装置 |
(敬称略)