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超知財・人財宝®・技財・資財 戦略情報誌 Newテクノマート「SO(創)」

超知財・人財宝戦略情報誌 Newテクノマート「SO(創)」

単結晶窒化ガリウム基板の製造方法

高品質大口径の単結晶SiC基板と単結晶GaN基板とを併行して製造し得る画期的な技術

単結晶窒化ガリウム基板の製造方法

【効果】
Si技術における大口径化の進展が活用でき、比較的容易に当該二層構造SiC およびGaN基板は超大口径とも言える8インチ化も可能である上に、SiC とGaNの熱膨張係数はほぼ等しいので、二層構造にしてもバイメタル効果に因る反りの発生も無い理想的な構造を有する基板である。当該技術によれば需要が増大の一途をたどっているSiC およびGaN基板の量産化・低廉化を促進し、産業界を活性化して牽引する潜在効果がある。

【希望・PR】
当該技術によれば、従来技術でSiC基板やGaN基板を製造している場合の諸課題が新たな視点から解決できる可能性があり、これからSiC基板やGaN基板の製造販売を希望する場合には最大の基盤技術になり得る。当該技術の試験的導入の場合でも技術指導の用意があるほか、本格導入の場合には当該特許権の排他的使用権、ないしは譲渡の用意もある。

文献番号特許第4756418号
資料請求番号18010009
用途二層構造SiC基板は高耐圧・大電力用電子デバイス用途、二層構造GaN基板は発光素子用途のほか超高速・超高周波・大電力用電子デバイス用途。
技術内容(1)SOI基板の表面単結晶Si層を極薄化し、これを炭化して極薄膜単結晶SiC-on-Oxideを形成する。次いでその表面に高周波プラズマCVD法で十分な厚さのSiCエピ成長を施したのち、基板の支持部分たるSiとOxideをHF除去し、そこに非晶質SiCを厚く堆積させると、表面:単結晶SiC薄膜/裏面:支持基板としての非晶質SiC厚膜という二層構造SiC基板が実現する。
(2)更に表面側の単結晶SiC上に単結晶GaNエピ成長を施せば、表面:単結晶GaN層/裏面:支持基板としての非晶質SiC厚膜という二層構造GaN基板も実現する。
権利者泉 勝俊
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(敬称略)

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